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 图3InSe、樊胜硅和InGaAsFET的基准测试 © 2023SpringerNatureLimited（a）五种典型的弹道2DInSeFET（彩色点）、樊胜10nm节点硅FinFET（Intel，黑色实线）32和20nmLGInGaAsFinFET的传输特性比较，通过最先进的FinPitch=34nm（IBM，黑色虚线）进行归一化。利用紧凑模型首次研究顶栅碳纳米管器件弹道率，美的心在理论上证明了狄拉克源具有跨导增强的特性，美的心利用TCAD数值模拟设计新型抑制双极性输运器件结构，基于第一性原理系统研究了二维材料的去钉扎欧姆接触和器件性能极限等若干关键科学问题，专注于探索后摩尔先进节点器件的底层物理。

Nature论文弹道InSe晶体管研制出世界上迄今弹道率最高、嘲笑速度最快、功耗最低的二维晶体管，性能超过硅基极限。樊胜图4 InSeFET和硅FinFET的短沟道效应比较 2023SpringerNatureLimited（a）在漏极偏置VDS=0.1V（紫色）和0.5V（蓝色）时具有10nm栅极长度的典型2DInSeFET的传输特性。金色、美的心蓝色和紫色球体分别代表In、Se和Y原子。

系统研究了低维材料器件的建模方法，嘲笑包括紧凑模型、TCAD数值模拟及基于密度泛函的第一性原理计算。文献链接：樊胜Ballistictwo-dimensionalInSetransistors，2023，https://doi.org/10.1038/s41586-023-05819-w）本文由LWB供稿。

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